[实用新型]一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管

摘要

本实用新型公开了二极管领域内的一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及低开启电压的肖特基二极管D1，耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D1的正极侧，耗尽型NMOS管M1的栅极接二极管D1的正极侧，耗尽型PMOS管M2的栅极接二极管D1的负极侧，本实用新型在低功率敏感度、高功率容量以及减小反向漏电流等方面有着优越性能，通过在低开启电压的肖特基二极管D1两端连接NP沟道耗尽型MOS管，使得二极管D1在具备低开启电压保持的前提下还具有较高的截至电压，更好的起到保护二极管D1防止被击穿的作用，可用于无线充电线路中的二极管中。

主权项

一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，其特征在于，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及具有低开启电压的肖特基二极管D1，所述耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，所述耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型NMOS管M1的栅极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型PMOS管M2的栅极接二极管D1的负极侧。