[实用新型]反应腔室的下电极机构及反应腔室有效
| 申请号： | 201720712788.8 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN207074639U | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 黄亚辉;韦刚;李一成;茅兴飞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供的反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座，以及设置在基座下方的下电极腔，该下电极腔包括相互隔离的电磁屏蔽空间和非电磁屏蔽空间，二者分别通过贯穿下电极腔的腔体与反应腔室的侧壁的第一引入通道和第二引入通道与外界连通；以防止电磁屏蔽空间内的第一部件受到来自非电磁屏蔽空间内的第二部件的干扰。本实用新型提供的下电极机构，其不仅可以避免因射频干扰导致的电场均匀性受到影响，而且还可以减少射频泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 电极 机构 | ||
【主权项】：
一种反应腔室的下电极机构，包括用于承载被加工工件的基座，以及设置在所述基座下方的下电极腔，其特征在于，所述下电极腔包括相互隔离的电磁屏蔽空间和非电磁屏蔽空间，二者分别通过贯穿所述下电极腔的腔体与所述反应腔室的侧壁的第一引入通道和第二引入通道与外界连通；以防止所述电磁屏蔽空间内的第一部件受到来自所述非电磁屏蔽空间内的第二部件的干扰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720712788.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
