[实用新型]一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备有效
申请号: | 201720712790.5 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN207176070U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 张彦召;陈鹏 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本实用新型公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座;还包括等离子体调节装置,等离子体调节装置设置在基座上方;且当工艺时,等离子体调节装置的表面形成有鞘层,等离子体中的离子密度大的区域中的部分离子被鞘层中的电子中和为中性粒子,从而使到达被加工工件表面的等离子体中的离子密度趋于均匀。本实用新型公开的用于物理气相沉积的预清洗设备包括本实用新型的等离子体腔室。本实用新型的等离子体腔室及预清洗设备内的等离子体的密度分布均匀,对被加工工件的加工质量高。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子 体腔 用于 物理 沉积 清洗 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体腔室,包括腔体、等离子体发生器、以及设置于所述腔体内用于支撑被加工工件的基座;其特征在于,还包括等离子体调节装置,所述等离子体调节装置设置在所述基座上方;且当工艺时,所述等离子体调节装置的表面形成有鞘层,等离子体中的正离子分布相对密集区域中的部分正离子被所述鞘层中的电子中和为中性粒子,从而使到达所述被加工工件表面的等离子体中的正离子密度趋于均匀。
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