[实用新型]用于超高真空互联装置中的掩模版有效
申请号: | 201720713804.5 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN206906790U | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 吴翠艳;王荣新;钟耀宗;朱文清;丁孙安 | 申请(专利权)人: | 上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于超高真空互联装置中的掩模版,包括一个以上图形化三维微通孔结构,所述图形化三维微通孔结构与所需二维图形相对应,并用以在超高真空环境中进行图形化转移。本实用新型提供的掩模版能有效解决高真空环境下图形转移的问题;并且所述掩膜版结构简单、价格低廉,制备工艺简单,使用方便,可以循环利用,绿色环保;同时可以简化传统图形化的工艺,避免传统光刻工艺中光敏材料的涂覆和去除所带来的器件表面污染和结构损伤的问题。 | ||
搜索关键词: | 用于 超高 真空 装置 中的 模版 | ||
【主权项】:
一种用于超高真空互联装置中的掩模版,其特征在于包括:一个以上图形化三维微通孔结构,所述图形化三维微通孔结构与所需二维图形相对应,并用以在超高真空环境中进行图形化转移。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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