[实用新型]薄膜电容用放电结构有效

专利信息
申请号: 201720739333.5 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN207134247U 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 朱祥;邵淋锋;严国 申请(专利权)人: 南通新江海动力电子有限公司
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;H01G4/228
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 代理人: 郭栋梁
地址: 226361 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种薄膜电容用放电结构,包括导电柱体,导电柱体的一端设有尖端,导电柱体包括转动配合的支撑柱体与旋转柱体,尖端位于旋转柱体背向支撑柱体的一端,支撑柱体上设有滑块或者沿轴向倾斜设置的导槽,旋转柱体上对应设有沿轴向倾斜设置的导槽或者滑块,滑块滑动配合于导槽内。本实用新型提供的薄膜电容用放电结构,通过滑块与导槽之间的滑动配合,以实现旋转柱体相对支撑柱体进行旋转,在旋转过程中带动尖端在薄膜电容的电极端部进行转动,从而可划破薄膜电容的电极端部上的残胶,使得尖端与薄膜电容的电极端部直接接触,提高了对薄膜电容进行放电的成功率。
搜索关键词: 薄膜 电容 放电 结构
【主权项】:
一种薄膜电容用放电结构,包括导电柱体,所述导电柱体的一端设有尖端,其特征在于,所述导电柱体包括转动配合的支撑柱体与旋转柱体,所述尖端位于所述旋转柱体背向所述支撑柱体的一端,所述支撑柱体上设有滑块或者沿轴向倾斜设置的导槽,所述旋转柱体上对应设有沿轴向倾斜设置的导槽或者滑块,所述滑块滑动配合于所述导槽内。
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