[实用新型]一种DFN1608高密度框架有效

专利信息
申请号: 201720739577.3 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN206834174U 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;张明聪;许兵;李宁 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及半导体制造技术,具体涉及一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。该框架设置专门的极性分隔板,并在极性分隔板上设置分隔间隙,达到极性分隔的作用,保证产品性能。
搜索关键词: 一种 dfn1608 高密度 框架
【主权项】:
一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。
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