[实用新型]一种DFN0603高密度框架有效

专利信息
申请号: 201720739588.1 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN207116420U 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;张明聪;许兵;李宁 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种DFN0603高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部,每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区,所述芯片安置区周围设有延伸连筋,所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度,相邻的芯片安装部之间设有横边连接筋或竖边连接筋。该框架在芯片安置区周围形成一圈阻止银胶外流的保护圈,改善银胶溢出问题,增加框架的强度、有效增加焊盘面积,保证注浆后的产品性能和质量,减少返工率、节约成本。
搜索关键词: 一种 dfn0603 高密度 框架
【主权项】:
一种DFN0603高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部,每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区,所述芯片安置区周围设有延伸连筋,所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度,相邻的芯片安装部之间设有横边连接筋或竖边连接筋。
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