[实用新型]一种引线框架有效
申请号: | 201720745187.7 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN207052570U | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 王玲;彭林源 | 申请(专利权)人: | 南京矽邦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 吕朦 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种引线框架改善封装的方法及引线框架,在引线框架上分出成品区域和非成品区域,非成品区域位于成品区域的外围;成品区域与非成品区域之间的过渡区域的背面增加半蚀刻设计,过渡区域的宽度大于切割刀的厚度;在非成品区域确定非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域,非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间,分别在非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域的正面增加全蚀刻和半蚀刻设计;成品区域包括多个成品,相邻成品之间有连接筋,在连接筋的背面增加半蚀刻设计。本实用新型设计合理,降低切割刀损耗、减小了切割时间,有效提高切割刀使用寿命和产品在行业间竞争优势,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 | ||
【主权项】:
一种引线框架,其特征在于,包括成品区域和非成品区域,所述非成品区域位于成品区域的外围,所述成品区域用于放置成品,成品区域与非成品区域之间有过渡区域,所述过渡区域为半蚀刻,过渡区域的宽度大于切割刀的厚度;所述非成品区域包括非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域,非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间,非成品区域的非注塑区域的正面为半蚀刻,非成品区域的注塑区域的正面包括多个矩形全蚀刻区域;成品区域包括多个成品,相邻成品之间有连接筋,所述连接筋的位置为切割刀轨迹,所述连接筋的背面为半蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造