[实用新型]基于SiCMOSFET的双Buck全桥逆变器

摘要

本实用新型涉及一种基于SiC MOSFET的双Buck全桥逆变器。包括双Buck全桥逆变器单元、用于控制所述双Buck全桥逆变器单元以消除其周期性扰动的控制单元；所述双Buck全桥逆变器单元包括直流电压Ud，电容C，电阻R，二极管D1、D2、D3、D4，开关管S1、S2、S3、S4，其中，开关管S1、S2、S3、S4均为基于SiC MOSFET管；所述控制单元的输出端分别与开关管S1、S2、S3、S4的控制端连接。本实用新型通过控制单元采用电压外环迭代学习控制+电流内环无差拍控制的双环控制策略不仅保留了双Buck全桥逆变器无桥臂直通问题，提高双Buck逆变器的输出效率，电压利用率高，且解决了直流电源波动、死区效应、稳态时线性和非线性负载电流扰动引起的周期性扰动问题。

主权项

一种基于SiCMOSFET的双Buck全桥逆变器，其特征在于：包括双Buck全桥逆变器单元、用于控制所述双Buck全桥逆变器单元以消除其周期性扰动的控制单元；所述双Buck全桥逆变器单元包括直流电压Ud，电容C，负载电阻R，二极管D1、D2、D3、D4，开关管S1、S2、S3、S4，电感L1、L2，直流电压Ud的正端与开关管S1的一端、开关管S2的一端连接，直流电压Ud的负端与二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、二极管D3的阴极、二极管D4的阴极连接，开关管S1的另一端与二极管D1的阴极相连接至电感L1的一端，开关管S2的另一端与二极管D2的阴极相连接至电感L2的一端，电感L1的另一端与电容C的一端、开关管S3的一端、电阻R的一端连接，电感L2的另一端与电容C的另一端、开关管S4的一端、电阻R的另一端相连接至GND端，开关管S3的另一端、开关管S4的另一端分别与二极管D3的阳极、二极管D4的阴极连接，其中，开关管S1、S2、S3、S4均为基于SiC MOSFET管；所述控制单元的输出端分别与开关管S1、S2、S3、S4的控制端连接。