[实用新型]一种减少温梯的提拉法晶体生长温场结构有效
| 申请号： | 201720763508.6 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN207047365U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 陈远帆;彭志豪;陈冠廷 | 申请（专利权）人： | 苏州晶特晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种减少温梯的提拉法晶体生长温场结构，包括坩埚、加热线圈、保温套、炉腔壳体和数个加热器，所述加热器、坩埚、加热线圈和保温套分别设置在炉腔壳体内，所述炉腔壳体内壁表面设置有保温层进行覆盖，所述坩埚设置在所述保温套中，所述加热线圈套设在所述保温套外侧而对坩埚进行加热，所述数个加热器分别设置在所述炉腔壳体的内壁与保温套的外壁之间。通过上述方式，本实用新型所述的减少温梯的提拉法晶体生长温场结构，利用数个加热器来提升晶体向上提拉生长过程的环境温度，降低炉腔壳体内温度的梯度，温度波动较小，晶体生长与退火一次完成，大大减少了晶体开裂的问题，提升了产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 提拉法 晶体生长 结构 | ||
【主权项】：
一种减少温梯的提拉法晶体生长温场结构，其特征在于，包括：坩埚、加热线圈、保温套、炉腔壳体和数个加热器，所述加热器、坩埚、加热线圈和保温套分别设置在炉腔壳体内，所述炉腔壳体内壁表面设置有保温层进行覆盖，所述坩埚设置在所述保温套中，所述加热线圈套设在所述保温套外侧而对坩埚进行加热，所述数个加热器分别设置在所述炉腔壳体的内壁与保温套的外壁之间。
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