[实用新型]馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备有效
| 申请号： | 201720776906.1 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN207072965U | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 邓玉春;张超;陈鹏;邱国庆;赵梦欣 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备。射频功率经馈入结构的引入杆中心馈入，并由多个分配杆均匀分配到靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 电极 组件 及物 理气 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种馈入结构，用于物理气相沉积设备，包括：引入杆，接收功率；引入板，耦接至所述引入杆；以及多个分配杆，所述多个分配杆围绕所述引入杆的轴线均匀分布，并且每个分配杆的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率。
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