[实用新型]MEMS三轴磁传感器设备和电子装置有效

专利信息
申请号: 201720778011.1 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN207457474U 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: G·拉吉;G·兰格弗尔德;G·加特瑞;A·托齐奥;D·帕希 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张昊
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器设备和电子装置。例如,一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2),该感应结构具有:衬底(6);外部框架(4),该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7),该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定;可移动结构(10),该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P);以及弹性安排(22,24),该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。
搜索关键词: 三轴磁传感器 可移动结构 外部框架 耦合 衬底 弹性元件 电子装置 感应结构 锚定件 导电路径 配置的 悬置 承载 改进
【主权项】:
一种MEMS三轴磁传感器设备(51),所述MEMS三轴磁传感器设备设置有感应结构(2),其特征在于,所述感应结构包括:衬底(6);外部框架(4),所述外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7),所述第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于所述衬底(6)固定;可移动结构(10),所述可移动结构被安排在悬置在所述衬底(6)上方的所述窗口(5)中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至所述外部框架(4)并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P);以及弹性安排(22,24),所述弹性安排在所述窗口(5)内、操作性地耦合至所述可移动结构(10),其中,所述可移动结构(10)由于所述第一弹性元件(8)和所述第二弹性元件(12)以及所述弹性安排(22,24)而被配置成用于执行:响应于源自第一磁场分量(Bx)的洛伦兹力(FL)的第一感应移动;响应于源自第二磁场分量(By)的洛伦兹力(FL)的第二感应移动;以及在所述导电路径(P)中存在所述电流(I)的情况下,响应于源自第三磁场分量(Bz)的洛伦兹力(FL)的第三感应移动;其中,所述第一、第二和第三感应移动是不同的并且与彼此去耦。
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