[实用新型]一种压接式IGBT模块叠层组件及压接式IGBT模块内部封装结构有效
| 申请号： | 201720783182.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207398071U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王豹子;黄小娟;王昭 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710016 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种压接式IGBT模块叠层组件及压接式IGBT模块内部封装结构，该压接式IGBT模块叠层组件以钼金属层为基层，在钼金属层的双面或单面进行覆银金属层或铝金属层，从而形成一体化的叠层组件。本实用新型不仅简化了外部陶瓷管壳封装压接式IGBT模块的内部结构封装工艺，保持压接式IGBT模块的高可靠性要求，同时也消除了压接式IGBT模块对特殊芯片的需求依赖，规避了压接式IGBT模块受特殊芯片供应的限制，普通芯片也可满足压接式IGBT模块的研制生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 igbt 模块 组件 内部 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种压接式IGBT模块叠层组件，其特征在于，以钼金属层为基层，在钼 金属层的双面或单面进行覆银金属层或铝金属层，从而形成一体化的叠层组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
