[实用新型]一种防泄漏碳化硅晶体生长炉有效
| 申请号： | 201720786708.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207109146U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括炉体和上炉盖以及下炉盖，炉体内设有坩埚，坩埚周围设有上反射屏、侧反射屏和下反射屏，上炉盖上设有观察窗以及与观察窗相适应的成像设备，成像设备与观察窗之间设有滤光片；所述的上反射屏为圆锥状反射屏；所述的下反射屏上方设有收集槽，收集槽通过收集槽支柱设于下炉盖上，收集槽支柱下部设有压力传感器，压力传感器通过数据信号线与报警器连接。采用本实用新型不仅可以方便、清晰的观察到生长炉内的情况，杜绝安全隐患，而且可以使晶体表面温度分布更加平缓，降低了晶体内部热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泄漏 碳化硅 晶体生长 | ||
【主权项】：
一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括炉体(1)和上炉盖(2)以及下炉盖(3)，炉体(1)内设有坩埚(4)，坩埚(4)周围设有上反射屏(5)、侧反射屏(6)和下反射屏(7)，其特征在于：上炉盖(2)上设有观察窗(8)以及与观察窗(8)相适应的成像设备(9)，成像设备(9)与观察窗(8)之间设有滤光片(10)；所述的上反射屏(5)为圆锥状反射屏；所述的下反射屏(7)上方设有收集槽(11)，收集槽(11)通过收集槽支柱(12)设于下炉盖(3)上，收集槽支柱(12)下部设有压力传感器(13)，压力传感器(13)通过数据信号线(14)与报警器(15)连接。
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