[实用新型]一种石墨烯薄膜及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201720799002.0 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN206976394U 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 汪际军 申请(专利权)人: 全普光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01L41/18 分类号: H01L41/18;H01L31/0224;H01L31/028;H01L33/34;H01L33/40;H01M4/583
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供了一种石墨烯薄膜及半导体器件,该石墨烯薄膜具有多个一面具有开口的微空腔结构,微空腔结构是由石墨烯薄膜表面的凸起结构和/或凹陷结构构成;微空腔结构的开口形成于凸起结构的底部和/或凹陷结构的顶部。本实用新型利用具有微空腔结构的石墨烯薄膜能够增加石墨烯薄膜的变形量以及比表面积,使用石墨烯薄膜应用于压电、光伏、光催化、压力探测等领域应用时,提高器件的发电效率、探测灵敏度和精度等。
搜索关键词: 一种 石墨 薄膜 半导体器件
【主权项】:
一种石墨烯薄膜,其特征在于,所述石墨烯薄膜具有多个一面具有开口的微空腔结构,微空腔结构是由石墨烯薄膜表面的凸起结构和/或凹陷结构构成;微空腔结构的开口形成于凸起结构的底部和/或凹陷结构的顶部。
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