[实用新型]具有接触层的发光二极管有效
| 申请号： | 201720802428.7 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN207082541U | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李熙燮;崔承奎;金材宪 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/20;H01L33/60;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管，所述发光二极管包括下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与下部n型半导体层接触；第二接触层，与上部n型半导体层接触，第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于所述下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于所述下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于所述下部n型半导体层与所述p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于所述p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于所述高浓度p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与所述下部n型半导体层接触；以及第二接触层，与所述上部n型半导体层接触，其中，所述第一接触层和第二接触层包括与所述下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
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