[实用新型]扇出型叠层封装结构有效
| 申请号： | 201720806310.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN206931596U | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种扇出型叠层封装结构，包括重新布线层；连接焊球，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第一半导体芯片，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；塑封层，填满所述连接焊球与所述第一半导体芯片之间的间隙，并将所述连接焊球及所述第一半导体芯片塑封，所述塑封层的上表面不高于所述连接焊球的上表面；焊料凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。本实用新型使用连接焊球作为塑封层内连接重新布线层的连接柱，连接焊球可以采用工艺比较成熟的植球工艺直接形成，工艺简单、成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型叠层 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种扇出型叠层封装结构，其特征在于，所述扇出型叠层封装结构包括：重新布线层；连接焊球，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第一半导体芯片，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；塑封层，填满所述连接焊球与所述第一半导体芯片之间的间隙，并将所述连接焊球及所述第一半导体芯片塑封，所述塑封层的上表面不高于所述连接焊球的上表面；焊料凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。
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