[实用新型]具有沟槽结构的高容量硅电容器

摘要

本实用新型涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器，属于电容器技术领域。主要技术方案如下在硅基板上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50)1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层、第1电极层、第1介电层、第2电极层、第2介电层、第3电极层、第3介电层、第4电极层，第4电极层上方为保护层，所述的第1电极层、第3电极层通过外部端子种晶层A连接外部端子A。本实用新型提供的硅电容器，采用十字型沟槽结构，具有容量大的特点，并且各电极层及介电层的在蚀刻过程中不会有任何的损伤，电极层与外部端子通过种晶层进行连接，结构相对简单，生产制造成本低。

主权项

具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，在硅基板(401)上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层(402)、第1电极层(403)、第1介电层(404)、第2电极层(405)、第2介电层(406)、第3电极层(407)、第3介电层(408)、第4电极层(409)，第4电极层(409)上方为保护层(410)，所述的第1电极层(403)、第3电极层(407)通过外部端子种晶层A(413)连接外部端子A(414)，所述的第2电极层(405)、第4电极层(409)通过外部端子种晶层B(411)连接外部端子B(412)。