[实用新型]一种多串电池级联保护单芯片电路系统有效
申请号: | 201720829876.6 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN207039173U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 刘文鉴 | 申请(专利权)人: | 深圳市创芯微微电子有限公司 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18;H02J7/00 |
代理公司: | 长沙市和协专利代理事务所(普通合伙)43115 | 代理人: | 梁国华 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种多串电池级联保护单芯片电路系统,包括一片充放电保护控制芯片、充电保护开关和放电保护开关,所述充放电保护控制芯片至少包括两片串接的充放保护单级芯片,第一级充放保护单级芯片的过充保护输出、过放保护输出分别接第二级充放保护单级芯片的保护信号接收端;第二级充放保护单级芯片的过充保护输出、过放保护输出分别控制NMOS晶体管组成的充电保护开关和放电保护开关,用以过充和过放保护。其优点是仅需一颗电池保护芯片,简单可靠。无需外部信号传递,稳定不会受干扰。集成度高,外围元件少,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 级联 保护 芯片 电路 系统 | ||
【主权项】:
一种多串电池级联保护单芯片电路系统,其特征在于:包括一片充放电保护控制芯片、充电保护开关和放电保护开关,所述充放电保护控制芯片至少包括两片串接的充放保护单级芯片,第一级充放保护单级芯片的过充保护输出、过放保护输出分别接第二级充放保护单级芯片的保护信号接收端;第二级充放保护单级芯片的过充保护输出、过放保护输出分别控制NMOS晶体管组成的充电保护开关和放电保护开关,用以过充和过放保护。
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