[实用新型]一种光能利用率高的太阳能电池片有效
申请号: | 201720830092.5 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN206931611U | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 赵华飞 | 申请(专利权)人: | 浙江中晶新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 | 代理人: | 韩洪 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市海盐县西塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提出了一种光能利用率高的太阳能电池片,包括晶体硅片、正面栅线、背面电极,其特征在于所述背电极分布于晶体硅片的背面,所述正面栅线分布于晶体硅片的正面,所述正面栅线包括一级主栅、二级主栅、三级主栅、副栅和辅助副栅,所述一级主栅之间设有间隙,所述一级主栅、二级主栅通过三级主栅相连,所述三级主栅与一级主栅组成封闭区域外侧均匀铺设有副栅,所述副栅与一级主栅相垂直,所述三级主栅与一级主栅组成封闭区域内侧均匀铺设有辅助副栅。多个主栅、副栅配合的结构,能够有效地提高太阳能电池片的光利用和电子收集率,间隙两侧的形成独立发电单元的太阳能电池片的电极结构,能够单独发电单元使用,或者并联后合并使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 光能 利用率 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光能利用率高的太阳能电池片,包括晶体硅片、正面栅线、背面电极,其特征在于:所述背面电极分布于晶体硅片的背面,所述正面栅线分布于晶体硅片的正面,所述正面栅线包括一级主栅(1)、二级主栅(2)、三级主栅(3)、副栅(4)和辅助副栅(5),所述一级主栅(1)的数目为两根,所述一级主栅(1)之间设有间隙(11),所述一级主栅(1)、二级主栅(2)、三级主栅(3)对称分布在间隙(11)的两侧,所述一级主栅(1)、二级主栅(2)通过三级主栅(3)相连,所述三级主栅(3)与一级主栅(1)有两个交点,所述三级主栅(3)与二级主栅(2)至少有一个交点,所述三级主栅(3)与一级主栅(1)组成封闭区域外侧均匀铺设有副栅(4),所述副栅(4)与一级主栅(1)相垂直,所述三级主栅(3)与一级主栅(1)组成封闭区域内侧均匀铺设有辅助副栅(5),所述辅助副栅(5)与一级主栅(1)相平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的