[实用新型]基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器

摘要

本专利公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本专利的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。

主权项

一种基于二维材料垂直肖特基结的近红外探测器，其特征在于：所述的探测器的结构为：带有SiO2氧化层的P型Si衬底(1)、在SiO2氧化层制作金底电极(2)，金底电极正上方是通过定点转移的二硫化钼层(3)、在二硫化钼的正上方是ITO的顶电极(4)，并且保证ITO顶电极和金底电极没有接触区域；所述的P型Si衬底(1)是硼重掺杂，SiO2氧化层厚度是300nm，电阻率小于0.05Ω·cm；所述的底电极(2)是Cr和Au，厚度分别是15和50nm，并且金和二硫化钼直接接触；所述的二硫化钼层(3)的的厚度是50～100nm,长宽分别是20～50um；所述的顶电极(4)是ITO，厚度是100～200nm。