[实用新型]InAs/GaSbⅡ类超晶格

摘要

本实用新型的目的是针对现有技术由于InAs/GaSbⅡ类超晶格的晶内界面多，使得材料的生长难度提高，材料的生长成本高、生产设备寿命低的不足，提供一种InAs/GaSbⅡ类超晶格，本结构的InAs/GaSbⅡ类超晶格中单位晶胞内部InAs和GaSb的界面层是InSb层，单位晶胞结构为InAs层、InSb层、GaSb层和GaAs层，InSb层在InAs层和GaSb层间，GaAs层在GaSb层外,采用本实用新型结构的InAs/GaSbⅡ类超晶格，减少了单位晶胞内不同材料形成的界面的数量，简化了单位晶胞内材料的结构，降低了晶格的生成难度，同时，由于此种结构打破了现有技术在补偿应力时采用的对称结构，采用了非对称结构平稳应力，不仅减少了材料界面数量，减少了层级，且进一步提高了InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的探测波长和探测率。

主权项

InAs/GaSbⅡ类超晶格，其特征在于，所述的InAs/GaSbⅡ类超晶格中单位晶胞内部InAs和GaSb的界面层是InSb层，单位晶胞结构为：InAs层、InSb层、GaSb层和GaAs层，InSb层在InAs层和GaSb层间，GaAs层在GaSb层外。