[实用新型]一种超快恢复二极管有效
| 申请号： | 201720838671.4 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN207602578U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张淑云 | 申请（专利权）人： | 天津天物金佰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/12;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种超快恢复二极管，包括扩磷层、单晶研磨片、扩硼层、金层、雕刻槽和镀银层，所述单晶研磨片的正面和背面分别与所述扩硼层和所述扩磷层相连，所述扩磷层通过所述金层与所述镀银层相连，所述扩硼层通过所述金层与所述镀银层相连，所述金层与所述镀银层相连界面上设置有所述雕刻槽。本实用新型的有益效果是有效提高二极管的生产成本和生产周期，大大提高了二极管的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 镀银层 金层 扩磷层 扩硼层 超快恢复二极管 本实用新型 二极管 研磨片 单晶 雕刻 生产周期 生产效率 生产成本 背面 | ||
【主权项】：
1.一种超快恢复二极管，包括扩磷层、单晶研磨片、扩硼层、金层、雕刻槽和镀银层，其特征在于：所述单晶研磨片的正面和背面分别与所述扩硼层和所述扩磷层相连，所述扩磷层通过所述金层与所述镀银层相连，所述扩硼层通过所述金层与所述镀银层相连，所述金层与所述镀银层相连界面上设置有所述雕刻槽。
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