[实用新型]一种LED高强度载带有效
申请号: | 201720874321.3 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN207009425U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 黄建新 | 申请(专利权)人: | 东莞市万拓电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 广东众达律师事务所44431 | 代理人: | 王世罡 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种LED高强度载带,包括载带本体,所述载带本体两侧的边缘上均横向设有一排推进孔,载带本体两侧的边缘内部均横向设有两根尼龙绳,尼龙绳的长度与载带本体的长度相同,载带本体中间设有一排用于承放LED芯片的容纳型腔,容纳型腔内部左右两侧均设有一压紧片。本实用新型结构简单,使用方便,增加了载带的牢固性,避免了载带的断裂,且在压紧LED芯片的同时避免了LED芯片与型腔粘连,方便了将LED芯片吸出。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 强度 | ||
【主权项】:
一种LED高强度载带,其特征在于:包括载带本体,所述载带本体两侧的边缘上均横向设有一排推进孔,载带本体两侧的边缘内部均横向设有两根尼龙绳,尼龙绳的长度与载带本体的长度相同,载带本体中间设有一排用于承放LED芯片的容纳型腔,容纳型腔内部左右两侧均设有一压紧片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市万拓电子有限公司,未经东莞市万拓电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720874321.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型硅片纠偏装置
- 下一篇:一种屏蔽栅极半导体组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造