[实用新型]一种单晶硅拉晶用装置有效
| 申请号： | 201720877865.5 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN207659556U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘学;尚伟泽;武志军;刘伟;张文霞;张全顺;王岩;李建弘 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李成运 |
| 地址： | 010070 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种单晶硅拉晶用装置，包括炉体、氮气气源和氩气气源，所述氮气气源通过第一管道和炉体连通，所述氩气气源通过第二管道和炉体连通，所述第一管道和第二管道分别设有质量流量计。本实用新型所述的一种单晶硅拉晶用装置中，炉体连接有氮气气源和氩气气源，在拉晶过程中通过氩气‑‑‑氮气转换满足拉晶需求，由于氮气价格低是氩气1/5，因此能够降低气体成本；同时，由于掺氮硅单晶的位错激活能比常规单晶的要高，塑性变形能通过位错滑移释放较常规单晶快，因此掺氮单晶能够提高硅片机械强度提高硅片机械强度；其次，掺氮促进氧沉淀、减少空洞型缺陷区域；另外，通过该装置方法得到的晶体硅，减小了电池光衰。 | ||
| 搜索关键词： | 拉晶 炉体 单晶硅 氮气气源 氩气气源 掺氮 单晶 氮气 本实用新型 氩气 第二管道 第一管道 硅片 位错 连通 空洞型缺陷 质量流量计 气体成本 塑性变形 硅单晶 激活能 晶体硅 氧沉淀 光衰 滑移 减小 电池 释放 转换 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅拉晶用装置，其特征在于：包括炉体(5)、氮气气源(1)和氩气气源(2)，所述氮气气源(1)通过第一管道(6)和炉体(5)连通，所述氩气气源(2)通过第二管道(7)和炉体(5)连通，所述第一管道(6)和第二管道(7)分别设有质量流量计(3)。
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