[实用新型]一种密封加强的均匀喷淋光伏硅片石英扩散炉有效
申请号: | 201720902881.5 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN207097785U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 周文华 | 申请(专利权)人: | 上海强华实业有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/223;H01L31/18;C30B31/16;C30B31/10;C30B31/06 |
代理公司: | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)11504 | 代理人: | 宋林清 |
地址: | 201507 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种密封加强的均匀喷淋光伏硅片石英扩散炉,石英舟用于承载光伏硅片,石英炉门安装在石英扩散炉的头部,对于石英扩散炉起到密封作用,保温桶位于石英扩散炉内靠近石英炉门一侧,起到隔热作用,喷淋管位于石英扩散炉内上部,用于通入喷淋保护气体三氯氧磷,挡板用挂钩的方式设置在喷淋管和保温桶之间,用于阻挡石英扩散炉内部气流,石英扩散炉的进气口设置在石英扩散炉的尾部,用于通入氧气,排废管和TC管安装在石英扩散炉内的底部,排废管用于排出废液,TC管用于放置热电偶,所述石英炉门具有台阶结构,石英炉门的一部被塞入石英扩散炉内部,石英炉门的另一部通过台阶结构顶靠在石英扩散炉的边沿而处于石英扩散炉外部。 | ||
搜索关键词: | 一种 密封 加强 均匀 喷淋 硅片 石英 扩散 | ||
【主权项】:
一种密封加强的均匀喷淋光伏硅片石英扩散炉,其特征在于,该石英扩散炉包括喷淋管、石英舟、挡板、保温桶、石英炉门、排废管和TC管,石英舟用于承载光伏硅片,石英炉门安装在石英扩散炉的头部,对于石英扩散炉起到密封作用,保温桶位于石英扩散炉内靠近石英炉门一侧,起到隔热作用,喷淋管位于石英扩散炉内上部,用于通入喷淋保护气体三氯氧磷,挡板用挂钩的方式设置在喷淋管和保温桶之间,用于阻挡石英扩散炉内部气流,石英扩散炉的进气口设置在石英扩散炉的尾部,用于通入氧气,排废管和TC管安装在石英扩散炉内的底部,排废管用于排出废液,TC管用于放置热电偶,所述石英炉门具有台阶结构,石英炉门的一部被塞入石英扩散炉内部,石英炉门的另一部通过台阶结构顶靠在石英扩散炉的边沿而处于石英扩散炉外部,喷淋管的管壁开有多个喷淋孔,距离石英扩散炉头部较近的喷淋孔的直径大于距离石英扩散炉尾部较近的喷淋孔的直径,保温桶由多片平行排列的石英片组成,石英片之间用石英支柱焊接连接,石英片是圆形片,且采用不透明石英材质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海强华实业有限公司,未经上海强华实业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720902881.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动检测划片后胀裂以及改善胀裂情况的装置
- 下一篇:全自动扩膜机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造