[实用新型]电荷存储单元有效
| 申请号： | 201720917902.0 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN207602571U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | L·斯塔克 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(R&D)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 英国白*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及电荷存储单元。一种电荷存储单元，包括：半导体区，半导体区具有第一导电类型的电荷载流子；第一深沟槽隔离结构；电荷存储区，电荷存储区的位置邻近于第一深沟槽隔离结构，电荷存储区包括与第一导电类型不同的第二导电类型的电荷载流子并且基本上沿着整个第一深沟槽隔离结构延伸；以及第二深沟槽隔离结构，第二深沟槽隔离结构的位置邻近于电荷存储区并且与第一深沟槽隔离结构相对。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟槽隔离结构 电荷存储区 电荷存储单元 第一导电类型 电荷载流子 半导体区 位置邻近 导电类型 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种电荷存储单元，其特征在于，包括：半导体区，所述半导体区具有第一导电类型的电荷载流子；第一深沟槽隔离结构；电荷存储区，所述电荷存储区的位置邻近于所述第一深沟槽隔离结构，所述电荷存储区包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的电荷载流子并且沿着整个所述第一深沟槽隔离结构延伸；以及第二深沟槽隔离结构，所述第二深沟槽隔离结构的位置邻近于所述电荷存储区并且与所述第一深沟槽隔离结构相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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