[实用新型]一种双向超低容ESD防护芯片结构

摘要

本实用新型公开了一种双向超低容ESD防护芯片结构，结构包括雪崩二极管D1以及整流二极管D2、D3、D4、D5；D1的结构衬底里面包含N‑well，N‑well里面包含SN，SN里面包含SP，单晶硅上面是SiO2层，SiO2层部分打开，SiO2层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层；其中，D1的SP与D3和D5的SP相连，D1的SN与D2和D4的SN相连；D2、D3、D4、D5的结构衬底里面包含N‑well，N‑well里面包含SN和SP，SN和SP成梳状结构，单晶硅上面是SiO2层，SiO2层部分打开，SiO2层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层；其中，D3和D5的SP与D1的SP相连，D2和D4的SN与D1的SN相连，D2的SP与D3的SN相连，D4的SP与D5的SN相连。本实用新型适用于高速数据接口的ESD防护。

主权项

一种双向超低容ESD防护芯片结构，其结构包括：一个雪崩二极管D1以及4个整流二极管D2、D3、D4、D5；所述雪崩二极管D1的结构包括：衬底里面包含N‑well，N‑well里面包含SN层，SN层里面包含SP层，单晶硅上面是SiO2层，SiO2层部分打开，SiO2层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层；其中，雪崩二极管D1的SP层与整流二极管D3和D5的SP层相连，雪崩二极管D1的SN层与整流二极管D2和D4的SN层相连；所述整流二极管D2、D3、D4、D5的结构包括：衬底里面包含N‑well，N‑well里面包含SN层和SP层，SN层和SP层成梳状结构，单晶硅上面是SiO2层，SiO2层部分打开，SiO2层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层；其中，整流二极管D3和D5的SP层与雪崩二极管D1的SP层相连，整流二极管D2和D4的SN层与雪崩二极管D1的SN层相连，D2的SP层与D3的SN层相连，D4的SP层与D5的SN层相连。