[实用新型]一种应变补偿型半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201720944655.3 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN207069288U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 韦欣;徐建人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应变补偿型半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，所述有源层为应变补偿量子阱材料。在本实用新型的上述结构中使用应变方向与量子阱中阱材料相反的材料做垒材料，来平衡阱材料的应变，减小宏观应变，推迟或者抑制位错的产生，器件的最大输出功率有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 补偿 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种应变补偿型半导体激光器结构，包括衬底层（1）以及在所述衬底层（1）由下至上依次生长的缓冲层（2）、下限制层（3）、下波导层（4）、有源层（5）、上波导层（6）、上限制层（7）和欧姆接触层（8），其特征在于：所述有源层（5）为应变补偿量子阱材料。
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