[实用新型]叠片组件连接结构及叠片组件有效
| 申请号： | 201720961577.8 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN207009444U | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 马茜;张峥嵘;丁二亮;尹丙伟 | 申请（专利权）人： | 成都晔凡科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/05;H01L31/044 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 刘迎春,王楠 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及叠片组件连接结构及叠片组件。所述叠片组件为矩阵式排布叠片组件，并且矩阵的列元素之间通过具有用于连接旁路二极管的引出线的“Z”型弯折结构汇流条连接，在所述叠片组件的正负极和用于连接旁路二极管的引出线之间连接有多个旁路二极管。本实用新型的叠片组件具有上述叠片组件连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种叠片组件连接结构，其特征在于，所述叠片组件为矩阵式排布叠片组件，并且矩阵的列元素之间通过具有用于连接旁路二极管的引出线的“Z”型弯折结构汇流条连接，在所述叠片组件的正负极和用于连接旁路二极管的引出线之间连接有多个旁路二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
