[实用新型]一种刻蚀机去水气装置的升降机构有效
| 申请号： | 201720968082.8 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN207353206U | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 严攀 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;李蕾 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种刻蚀机去水气装置的升降机构，包括去水气装置本体、双作用气缸和晶元压头；所述去水气装置本体内部具有竖直设置并可上下移动的滑杆；所述双作用气缸竖向设置，其缸体通过连接件安装在所述水气装置本体的下端，所述双作用气缸内具有与所述滑杆同轴设置的伸缩臂；所述伸缩臂的上端通过高度可调的连接组件与所述滑杆的下端连接；所述晶元压头安装在所述伸缩臂的下端端部，所述晶元压头随所述伸缩臂上下移动。上本实用新型采用双作用气缸使得其伸缩臂两端均可以与外界物体连接，并且同上同下，使得设备结构简单，运行精密度高，便于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 水气 装置 升降 机构 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀机去水气装置的升降机构，其特征在于，包括去水气装置本体(1)、双作用气缸(4)和晶元压头(5)；所述去水气装置本体(1)内部具有竖直设置并可上下移动的滑杆(11)；所述双作用气缸(4)竖向设置，其缸体(41)通过连接件(3)安装在所述水气装置本体(1)的下端，所述双作用气缸(4)内具有与所述滑杆(11)同轴设置的伸缩臂(42)；所述伸缩臂(42)的上端通过高度可调的连接组件(2)与所述滑杆(11)的下端连接；所述晶元压头(5)安装在所述伸缩臂(42)的下端端部，所述晶元压头(5)随所述伸缩臂(42)上下移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
