[实用新型]三维结构太阳能硅片及太阳能电池有效
申请号: | 201720975679.5 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN206947357U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 万明 | 申请(专利权)人: | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32297 | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215311 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型揭示了三维结构太阳能硅片及太阳能电池,三维结构太阳能硅片包括硅片本体,所述硅片本体包括一组等高且间隙分布的第一平台段以及一组等高且间隙分布的第二平台段,所述第一平台段平行且高于所述第二平台段,且第一平台段与第二平台段交错设置,相邻第一平台段和第二平台段通过斜面段连成一体。本实用新型采用多个平台段上下交错形成的三维结构,相比平面结构,具有更大的表面积,光线能够在槽状区域内发生多次反射以增加光照的吸收转化,同时每个平台段为指状太阳能电极的布置提供了充足的空间,避免了波浪形三维结构中电极需要跨越相邻波谷和波峰易出现断裂及不均匀的问题,为后续加工提供了极大的便利性,有利于提高加工效率。 | ||
搜索关键词: | 三维 结构 太阳能 硅片 太阳能电池 | ||
【主权项】:
三维结构太阳能硅片,包括硅片本体(1),其特征在于:所述硅片本体(1)包括一组等高且间隙分布的第一平台段(11)以及一组等高且间隙分布的第二平台段(12),所述第一平台段(11)平行且高于所述第二平台段(12),且第一平台段(11)与第二平台段(12)交错设置,相邻第一平台段(11)和第二平台段(12)通过斜面段(13)连成一体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州赛万玉山智能科技有限公司,未经苏州赛万玉山智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720975679.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的