[实用新型]固态成像设备和成像系统有效
申请号: | 201720992373.0 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN207505006U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | R·莫里兹森 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N5/369;H04N5/225 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型涉及固态成像设备和成像系统。所述固态成像设备包括:第一像素和第二像素,其中每个像素包括光敏元件;以及复位晶体管,其包括:具有外周边的第一栅极区;第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区,其中掺杂区与第一栅极区的外周边相邻;其中第一掺杂区和第二掺杂区包括浮动扩散有效区;并且其中第一像素耦合至第一浮动扩散有效区并且第二像素耦合至第二浮动扩散有效区。本实用新型解决的一个技术问题是改进固态成像设备和成像系统。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的固态成像设备和改进的成像系统。 1 | ||
搜索关键词: | 掺杂区 固态成像设备 成像系统 本实用新型 浮动扩散 有效区 像素 像素耦合 外周边 栅极区 复位晶体管 改进 光敏元件 技术效果 | ||
第一像素和第二像素,其中每个像素包括光敏元件;以及
复位晶体管,所述复位晶体管包括:
具有外周边的第一栅极区;
第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区,其中所述掺杂区与所述第一栅极区的所述外周边相邻;
其中所述第一掺杂区包括第一浮动扩散有效区以及所述第二掺杂区包括第二浮动扩散有效区;并且
其中所述第一像素耦合至所述第一浮动扩散有效区并且所述第二像素耦合至所述第二浮动扩散有效区。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备,其特征在于所述复位晶体管还包括由位于所述第一栅极区下方并且与所述掺杂区相邻的区域限定的多分支通道,并且其中所述多分支通道为大致T形。3.根据权利要求1所述的固态成像设备,其特征在于所述第一浮动扩散有效区电连接到所述第二浮动扩散有效区。4.根据权利要求1所述的固态成像设备,其特征在于所述复位晶体管的所述第三掺杂区连接到供电电压。5.根据权利要求1所述的固态成像设备,其特征在于还包括:放大器,所述放大器包括第二栅极区,其中所述第一浮动扩散有效区和所述第二浮动扩散有效区进一步电耦合至所述第二栅极区。
6.根据权利要求1所述的固态成像设备,其特征在于每个像素还包括转移栅极,其中所述转移栅极包括晶体管。7.根据权利要求1所述的固态成像设备,其特征在于所述第一栅极区包括固体多晶硅层。8.一种成像系统,其特征在于包括:图像传感器,所述图像传感器包括:
以二维图案排列的多个像素,其中每个像素包括光敏元件;
复位晶体管,所述复位晶体管包括:
具有外周边的第一栅极区;以及
第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区,其中所述掺杂区与所述第一栅极区的所述外周边相邻;
其中所述第一掺杂区包括第一浮动扩散有效区以及所述第二掺杂区包括第二浮动扩散有效区;并且
其中第一像素耦合至所述第一浮动扩散有效区并且第二像素耦合至所述第二浮动扩散有效区;
电耦合至所述图像传感器的中央处理单元;以及
电耦合至所述中央处理单元的存储器设备。
9.根据权利要求8所述的成像系统,其特征在于:所述第一浮动扩散有效区电连接到所述第二浮动扩散有效区;并且
所述复位晶体管的所述第三掺杂区连接到供电电压。
10.根据权利要求8所述的成像系统,其特征在于所述复位晶体管还包括由位于所述第一栅极区下方并且与所述掺杂区相邻的区域限定的多分支通道,并且其中所述多分支通道为大致T形。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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