[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 201721008841.2 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN207381369U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 富藤幸雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型是即使是大型的基板也能够充分抑制其带电的基板处理装置。基板处理装置(100)具备：载置部(42)，供载置基板(5)；腔室(41)，将载置在加热板(42)上的基板(5)的周围覆盖，并且形成有用于搬入基板(5)的搬入口(7)；搬运机械手(3)，具有支撑基板(5)的手部(33)，将由手部(33)支撑的基板(5)经由搬入口(7)搬入至腔室(41)内；以及电离器(6)，向从搬入口(7)的外侧朝向腔室(41)的方向喷射离子化的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：载置部，供载置基板；腔室，将载置在所述载置部上的所述基板的周围覆盖，并且形成有用于搬入所述基板的搬入口；搬运机械手，具有支撑所述基板的手部，将由所述手部支撑的所述基板经由所述搬入口搬入至所述腔室内；以及电离器，向从所述搬入口的外侧朝向所述腔室内的方向喷射离子化的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
