[实用新型]存储器及半导体器件有效
| 申请号： | 201721023679.1 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN207068473U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种存储器及半导体器件，在衬底内形成有多条字线与多条虚置字线，至少一条所述字线与至少一条所述虚置字线交替间隔排布，所述虚置字线具有界定有源区两端的隔离闸功能，并且能够避免漏电流从所述虚置字线的一侧泄露到另一侧，避免相邻存储晶体管之间的漏电流，从而改善存储器的漏电流现象。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底内的多个呈线性排布且沿第一方向延伸的有源区串连；位于所述衬底内的多条字线与多条虚置字线，至少一条所述字线与至少一条所述虚置字线交替间隔排布并贯穿所述有源区串连，所述字线与所述虚置字线呈线性排布且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述有源区串连包含多个有源区，所述有源区的两端由所述虚置字线界定；位于两相邻的所述字线之间的有源区上的位线接触部、位于所述位线接触部上的沿第三方向延伸的位线、位于所述位线两侧且在相邻的所述字线与所述虚置字线之间的有源区上的存储节点接触部；以及位于所述存储节点接触部上的存储电容。
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