[实用新型]一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构有效
| 申请号： | 201721026005.7 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN207265035U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 凤瑞 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043;H01L23/31;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 耿英,董建林 |
| 地址： | 233040*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS芯片的下电极固定在二氧化硅隔离层上，二氧化硅隔离层固定在硅衬底上；MEMS芯片的上电极通过中心锚点结构支撑悬浮在下电极上方；MEMS芯片的硅衬底粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面，硅衬底被刻蚀成仅由一中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。通过在硅衬底上加工出的中心支撑结构将MEMS芯片近似悬浮支撑于封装管壳底面，可以大幅减小MEMS芯片上的封装应力，实现MEMS芯片的低应力封装。该结构无需在硅衬底底部额外增加一层特殊的应力隔离结构层，因此可以保持原封装厚度不变，具有封装工艺简单、不显著增加封装成本，易于实现的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中心 支撑 悬浮 mems 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS芯片的硅衬底粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面，硅衬底被刻蚀成仅由一中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。
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