[实用新型]GaN半导体器件有效
| 申请号： | 201721026156.2 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN207381406U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤;万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。上述GaN半导体器件的结构，在生长出2DEG用AlGAN薄膜后，于p‑GaN layer蒸镀前插入氮化铝层的结构，即，p‑GaN/AlN/AlGaN复合膜或p‑GaN/AlGaN/AlN/AlGaN复合膜，去除在后续工艺中为栅极蚀刻时剩下的P类氮化镓层，改善p‑GaNHEMT器件特性的散布。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种GaN半导体器件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1-xN层；设置于所述AlxGa1-xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p-GaN层。
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