[实用新型]反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201721033212.5 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN207183210U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 赵晋荣;常楷 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室的内部设置有基座，且在反应腔室的侧壁内侧设置有内衬，内衬的上端通过反应腔室的侧壁接地。反应腔室还包括边缘环和遮挡环，其中，边缘环环绕在基座的周围，边缘环的下端通过基座接地，且在边缘环的内周壁与基座的外周壁之间设置有介质环；遮挡环设置在内衬的下端与边缘环的外周壁之间。本实用新型提供的反应腔室，其可以避免系统产生谐振，从而可以增强工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，在所述反应腔室的内部设置有基座，且在所述反应腔室的侧壁内侧设置有内衬，所述内衬的上端通过所述反应腔室的侧壁接地，其特征在于，所述反应腔室还包括边缘环和遮挡环，其中，所述边缘环环绕在所述基座的周围，所述边缘环的下端通过所述基座接地，且在所述边缘环的内周壁与所述基座的外周壁之间设置有介质环；所述遮挡环设置在所述内衬的下端与所述边缘环的外周壁之间。
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