[实用新型]一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路有效

专利信息
申请号: 201721033630.4 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN207150576U 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 周爱金 申请(专利权)人: 上海锐翊通讯科技有限公司
主分类号: H04B1/3816 分类号: H04B1/3816;H04M1/02;H04M1/74
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201612 上海市松江区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路,包括卡槽电路和电源开关电路,所述卡槽电路包括芯片J1和卡槽,电源开关电路包括电阻R3、MOS管Q2和MOS管Q1,芯片J1的接口T1连接卡槽、电阻R3和MOS管Q2的源极,卡槽的另一端连接芯片J1的接口T2和地,MOS管Q2的栅极连接电阻R2,本实用新型能够通过硬件方式及时快速打开和关闭T卡电源来解决三选二卡座烧卡问题。相比现有方案可以降低功耗,优化主板面积和主板成本,提高了整个系统的性能。
搜索关键词: 一种 手机 tf sim 卡共卡槽防烧卡 电路
【主权项】:
一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路,包括卡槽电路和电源开关电路,其特征在于,所述卡槽电路包括芯片J1和卡槽,电源开关电路包括电阻R3、MOS管Q2和MOS管Q1,芯片J1的接口T1连接卡槽、电阻R3和MOS管Q2的源极,卡槽的另一端连接芯片J1的接口T2和地,MOS管Q2的栅极连接电阻R2,电阻R3的另一端连接电源VDD,电阻R2的另一端连接电源VDD,MOS管Q2的漏极连接电阻R1和MOS管Q1的栅极,MOS管Q1的源极连接电阻R1的另一端和电容C1,MOS管Q1的漏极连接电容C2,电容C1的另一端接地,电容C2的另一端接地。
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