[实用新型]传感器和光传感器系统有效
申请号: | 201721033980.0 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN207398159U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | M·A·吴 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型题涉及传感器和光传感器系统。本技术的各种实施方案可包括针对具有预充电电路的光传感器的方法和装置,该预充电电路诸如用于将传感器的内部节点充电至等于不同传感器的终止电压的起始电压。所述方法和装置可包括在读出不同传感器的最后一个光敏元件期间,按顺序读出所述光敏元件的电压并选择性地激活一个传感器的预充电电路。 | ||
搜索关键词: | 传感器 系统 | ||
【主权项】:
1.一种传感器,其特征在于包括:多个光敏元件;多个可切换第一级放大器,其中每个可切换第一级放大器耦接在所述光敏元件中的一个光敏元件和共用节点之间;可切换第二级放大器,所述可切换第二级放大器耦接在所述共用节点和输出总线之间;和预充电电路,所述预充电电路耦接在所述输出总线和所述共用节点之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的