[实用新型]一种单片集成二维磁场传感器有效
| 申请号： | 201721039820.7 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN207037051U | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;金晨晨;邓祁;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)11426 | 代理人： | 刘冬梅,路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置，用于x轴方向磁场分量的检测，另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置，用于y轴方向磁场分量的检测；并且，在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。本实用新型所述单片集成二维磁场传感器结构简单，实现了二维磁场的检测，芯片实现了小型化和单片集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 二维 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种单片集成二维磁场传感器，其特征在于，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，分别为硅磁敏三极管一(SMST1)、硅磁敏三极管二(SMST2)、硅磁敏三极管三(SMST3)和硅磁敏三极管四(SMST4)；在第一硅片(1)上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)；所述硅磁敏三极管包括基极、发射极和集电极。
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