[实用新型]一种宽范围电压可调的LED芯片

摘要

本实用新型提供一种宽范围电压可调的LED芯片，包括基底，设置于所述基底上方包含不同掺杂浓度半导体层的第一半导体结构，将所述第一半导体结构顶面划分为分立设置的第一区域与第二区域的开口，位于第一区域上方的发光层，位于发光层上方的第二半导体结构，位于第二区域上方的第一电极以及位于第二半导体结构上方的第二电极。该LED芯片随着开口深度的变化用于电极电流通过的半导体层发生变化，因此可制备宽范围电压可调的LED芯片，无需串联电阻即可满足终端用品高电压的需求，一方面减少了加工工序，增加了产品可靠性；一方面减少了物料以及制造工序费用；同时该芯片突破传统蓝绿光LED芯片电压范围，为终端客户提供更多组合的可行性。

主权项

一种宽范围电压可调的LED芯片，其特征在于，包括：基底；第一半导体结构，设置于所述基底上方；所述第一半导体结构包含不同掺杂浓度的至少两层半导体层，其中，靠上的所述半导体层的掺杂浓度高于靠下的所述半导体层的掺杂浓度；所述第一半导体结构顶面具有开口；所述开口向所述第一半导体结构底面方向延伸，但未穿透所述第一半导体结构底面；所述开口将所述第一半导体结构顶面划分为分立设置的第一区域与第二区域；发光层，位于所述第一区域上方；第二半导体结构，位于所述发光层上方；第一电极，位于所述第二区域上方；第二电极，位于所述第二半导体结构上方。