[实用新型]一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器

摘要

本实用新型公开了一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述SiO2层的中心设置有CE电极，SiO2层下方的所述P‑well或N‑well内沿P‑well或N‑well的周向设置有若干个漂移环；SiO2层的外围周向设置有接地环GND。本申请采用宽禁带半导体材料来制作，雪崩区与光子收集区域分开，雪崩结区较小，能制作出比较低雪崩电压的器件；同时全耗尽的P‑Well区能减少载流子的复合；同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。

主权项

1.一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述SiO2层的中心设置有CE电极，SiO2层下方的所述P‑well或N‑well内沿P‑well或N‑well的周向设置有若干个漂移环；SiO2层的外围周向设置有接地环GND。