[实用新型]用于处理腔室中的腔室部件有效
| 申请号： | 201721058541.5 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN207587699U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王建齐;尤吉塔·巴瑞克;朱丽亚·巴文;凯文·A·派克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有2gm/cm3或大于2gm/cm3的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上，氟氧化铝层具有2nm或大于2nm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物阻挡层 氟氧化铝 腔室部件 处理腔室 等离子体处理腔室 暴露表面 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理腔室中的腔室部件，其特征在于包括：主体；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在所述主体的暴露表面的至少一部分上；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在所述氧化物阻挡层上，所述氟氧化铝层具有2nm或大于2nm的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
