[实用新型]电容器及半导体器件有效
| 申请号： | 201721061463.4 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN207149556U | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种电容器及半导体器件。利用两个表面均为不平坦的下电极，并在下电极的两个表面上均覆盖电容介质层和上电极，从而可使下电极在其两个表面上均能够与电容介质层和上电极构成一电容，同时，所构成的两个电容中的电极表面均为不平坦的表面，因此在相同的尺寸下，本实用新型提供的电容器中具有更大的电极表面积。可见，在相同尺寸下，本实用新型中的电容器具备更大的电容值，进而在实现器件尺寸的缩减时，即可在确保电容器的电容值的基础上，形成更小尺寸的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种电容器，其特征在于，包括：一下电极，具有一第一表面和一与所述第一表面相对的第二表面，在所述第一表面和所述第二表面上均具有多个第一凸起和/或多个第一凹槽；一电容介质层，覆盖所述下电极的所述第一表面和所述第二表面，并且，所述电容介质层中在对应所述第一凸起的部分凸出以构成第二凸起，所述电容介质层中在对应所述第一凹槽的部分内陷以构成一第二凹槽；以及，一上电极，覆盖所述电容介质层并位于所述电容介质层远离所述下电极的一侧，以使所述下电极在对应所述第一表面和所述第二表面的两侧均能够与所述电容介质层和所述上电极构成电容。
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