[实用新型]二极管结构有效
| 申请号： | 201721073674.X | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN207165580U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 徐涵 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司台湾分公司;扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种二极管结构，通过于二极管本体上的第一凹部中形成更深的第二凹部，以产生深浅不同的至少两凹部，借此降低二极管外加反向偏压下结接面的表面电场强度，进而降低漏电。另通过深浅不同两凹部及第一及第二绝缘层厚度的搭配调整反向偏压下电场分布切线为多峰结构，借此进一步提升同一原材料下的制作的二极管反向耐崩电压表现。进一步提升相同反向冲击电流下的二极管抗雷击能力。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种二极管结构，其特征为，该二极管结构包括：二极管本体，其表面上形成有第一凹部；第一绝缘层，其形成于该第一凹部的壁面与底面上；第一导体层，其形成于该第一绝缘层上，且于该第一绝缘层与该第一导体层上形成第一开口，使该第一凹部的部分底面外露于该第一开口，以于该第一凹部外露于该第一开口的底面上形成第二开口，令该第一开口与第二开口作为第二凹部；第二绝缘层，其形成于该第二凹部的壁面与底面上；以及第二导体层，其形成于该第二绝缘层上。
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