[实用新型]永磁耦合器永磁转子磁体阵列结构有效

专利信息
申请号: 201721074932.6 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN207218507U 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 李和良;吴伟明 申请(专利权)人: 诸暨和创电机科技有限公司
主分类号: H02K49/10 分类号: H02K49/10;H02K1/27
代理公司: 杭州知通专利代理事务所(普通合伙)33221 代理人: 姚宇吉
地址: 311800 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种永磁耦合器永磁转子磁体阵列结构,包括第一环形阵列;所述第一环形阵列上设有不少于两块的永磁体和不少于两块的高导磁体;所述第一环形阵列的永磁体和高导磁体交替间隔设置;所述第一环形阵列的永磁体靠近同一块高导磁体的磁极相同。该定子阵列结构因为高导磁体的加入及间隔排布,强化了环形阵列产生的磁场,使得在永磁体成本不增加的情况下实现了永磁耦合器内的气隙磁通密度的提高。
搜索关键词: 永磁 耦合器 转子 磁体 阵列 结构
【主权项】:
一种永磁耦合器永磁转子磁体阵列结构,其特征在于,包括第一环形阵列;所述第一环形阵列上设有不少于两块的永磁体和不少于两块的高导磁体;所述第一环形阵列的永磁体和高导磁体交替间隔设置;所述第一环形阵列的永磁体靠近同一块高导磁体的磁极相同。
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