[实用新型]一种肖特基极结构、肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721082754.1 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN207425866U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚;张葶葶;李亦衡;王东盛;夏远洋 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种肖特基极结构、肖特基二极管，所述肖特基极结构包括：N型半导体层；第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。利用本申请各实施例所述的肖特基极结构，可以有效提高二极管的反向耐压值，有效提高了二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基极结构 肖特基二极管 二极管 半导体层 半绝缘型 反向耐压 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基极结构，其特征在于，所述肖特基极结构包括：N型半导体层；第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏能华微电子科技发展有限公司，未经江苏能华微电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721082754.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属氧化物半导体场效应晶体管
- 下一篇：一种碳化硅二极管
- 同类专利
- 专利分类
