[实用新型]一种隔离结构有效
| 申请号： | 201721091850.2 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN207517657U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种隔离结构，包括：一半导体衬底，具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，其中至少一个沟槽形成在所述半导体衬底中，用以界定出有源区，所述沟槽从所述第一表面构成开口，并往所述第二表面方向延伸；一衬垫层，沉积在所述沟槽的侧壁及底面上；及可流动式电介质，形成在所述衬垫层的表面，所述可流动式电介质填充满所述沟槽，在所述沟槽中的所述可流动式电介质的90 wt%以上反应为氧化物隔离体。本实用新型的隔离结构改善了微粒现象，并且减少了沟槽中出现孔洞的概率，同时未过度固化，不存在电介质薄膜应力过大的问题，从而具有优异的隔离效果，可有效减少元件之间的漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 第一表面 隔离结构 可流动 本实用新型 第二表面 衬垫层 衬底 半导体 孔洞 电介质薄膜 氧化物隔离 方向延伸 隔离效果 沟槽形成 漏电现象 微粒现象 有效减少 侧壁 界定 源区 沉积 固化 开口 概率 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构，其特征在于，包括：一半导体衬底，具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，其中至少一个沟槽形成在所述半导体衬底中，用以界定出有源区，所述沟槽从所述第一表面构成开口，并往所述第二表面方向延伸；一衬垫层，沉积在所述沟槽的侧壁及底面上；及可流动式电介质，形成在所述衬垫层的表面，所述可流动式电介质填充满所述沟槽，在所述沟槽中的所述可流动式电介质的90wt％以上反应为氧化物隔离体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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