[实用新型]成膜设备有效

专利信息
申请号: 201721095745.6 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN207452248U 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 赵利豪;田彪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/513
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及显示器制备技术领域,公开了一种成膜设备,减少摩擦碎屑的产生,进而减少碎屑对反应腔造成的污染,提高成膜品质。本实用新型提供了一种成膜设备,包括:具有第一腔室的底座,用于至少盖合第一腔室的开口的上盖,位于上盖和底座之间的第一密封圈,其中,上盖具有倾斜的斜面,斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠,且斜面在底座的底面所在平面上的正投影位于第一腔室在底座的底面所在平面上的正投影的外侧,斜面上靠近第一腔室的部分相对于斜面上远离第一腔室的部分远离底座的底面。
搜索关键词: 底座 第一腔室 底面 所在平面 正投影 成膜设备 上盖 密封圈 本实用新型 碎屑 显示器制备 减少摩擦 反应腔 成膜 盖合 交叠 开口 污染
【主权项】:
一种成膜设备,其特征在于,包括:具有第一腔室的底座,用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖,位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈,其中,所述上盖具有倾斜的斜面,所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠,且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧,所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。
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