[实用新型]成膜设备有效
申请号: | 201721095745.6 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN207452248U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 赵利豪;田彪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/513 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及显示器制备技术领域,公开了一种成膜设备,减少摩擦碎屑的产生,进而减少碎屑对反应腔造成的污染,提高成膜品质。本实用新型提供了一种成膜设备,包括:具有第一腔室的底座,用于至少盖合第一腔室的开口的上盖,位于上盖和底座之间的第一密封圈,其中,上盖具有倾斜的斜面,斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠,且斜面在底座的底面所在平面上的正投影位于第一腔室在底座的底面所在平面上的正投影的外侧,斜面上靠近第一腔室的部分相对于斜面上远离第一腔室的部分远离底座的底面。 | ||
搜索关键词: | 底座 第一腔室 底面 所在平面 正投影 成膜设备 上盖 密封圈 本实用新型 碎屑 显示器制备 减少摩擦 反应腔 成膜 盖合 交叠 开口 污染 | ||
【主权项】:
一种成膜设备,其特征在于,包括:具有第一腔室的底座,用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖,位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈,其中,所述上盖具有倾斜的斜面,所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠,且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧,所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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